लगभग सब कुछ जो पढ़ा जा सकता है वह सिलिकॉन कार्बाइड का परिचय देता है: सिलिकॉन कार्बाइड में सिलिकॉन (वाइड बैंड गैप) और 3.09 इलेक्ट्रॉन वोल्ट की 2.8 गुना बैंड रिक्ति है। इसकी ढांकता हुआ विखंडन क्षेत्र की शक्ति 5.3 गुना है, जो कि 3.2 एमवी / सेमी तक है। इसकी तापीय चालकता सिलिकॉन की 3.3 गुना है, जो कि 49w / cm.k है। सिलिकॉन कार्बाइड से बने Schottky डायोड और MOS फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर में एक ही वोल्टेज-प्रतिरोधी सिलिकॉन डिवाइस की तुलना में परिमाण का एक क्रम होता है। अशुद्धता सांद्रता सिलिकॉन के परिमाण के दो आदेश हो सकते हैं। इस प्रकार, सिलिकॉन कार्बाइड डिवाइस का प्रति यूनिट क्षेत्र सिलिकॉन डिवाइस के केवल एक सौवां हिस्सा है। इसका बहाव प्रतिरोध डिवाइस के पूर्ण प्रतिरोध के लगभग बराबर है। इसलिए, सिलिकॉन कार्बाइड डिवाइस का कैलोरी मान बेहद कम है। यह चालन और स्विचिंग घाटे को कम करने में मदद करता है, और ऑपरेटिंग आवृत्ति आमतौर पर सिलिकॉन उपकरणों की तुलना में 10 गुना अधिक है। इसके अलावा, सिलिकॉन कार्बाइड अर्धचालकों में स्वाभाविक रूप से मजबूत विकिरण प्रतिरोध होता है। हाल के वर्षों में, सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री से बने IGBTs (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर) जैसे बिजली उपकरणों का उपयोग पारंपरिक सिलिकॉन उपकरणों के दसवें हिस्से पर राज्य के प्रतिबाधा को कम करने के लिए अल्पसंख्यक उप-इंजेक्शन जैसी प्रक्रियाओं में किया गया है। इसके अलावा, सिलिकॉन कार्बाइड डिवाइस में एक छोटी गर्मी पीढ़ी होती है, और इस प्रकार सिलिकॉन कार्बाइड डिवाइस में उत्कृष्ट तापीय चालकता होती है। इसके अलावा, सिलिकॉन कार्बाइड बिजली के उपकरण 400 डिग्री सेल्सियस के उच्च तापमान पर काम कर सकते हैं। यह छोटे उपकरणों के साथ बड़ी धाराओं को नियंत्रित कर सकता है। ऑपरेटिंग वोल्टेज भी बहुत अधिक है। https://www.hshightec.com/
